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STB5N52K3

STB5N52K3

Solo per riferimento

Numero parte STB5N52K3
PNEDA Part # STB5N52K3
Descrizione MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
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Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
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STB5N52K3 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB5N52K3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB5N52K3, STB5N52K3 Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 1.193,42 KB)
PDFSTB5N52K3 Datasheet Copertura
STB5N52K3 Datasheet Pagina 2 STB5N52K3 Datasheet Pagina 3 STB5N52K3 Datasheet Pagina 4 STB5N52K3 Datasheet Pagina 5 STB5N52K3 Datasheet Pagina 6 STB5N52K3 Datasheet Pagina 7 STB5N52K3 Datasheet Pagina 8 STB5N52K3 Datasheet Pagina 9 STB5N52K3 Datasheet Pagina 10 STB5N52K3 Datasheet Pagina 11

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STB5N52K3 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)525V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds545pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

773pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

92W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

BSC200P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2430pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMN3008SFG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3690pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

APT60M80L2VRG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

590nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

833W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

264 MAX™ [L2]

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

44pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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