STB34N50DM2AG
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Numero parte | STB34N50DM2AG |
PNEDA Part # | STB34N50DM2AG |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 26A |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.856 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STB34N50DM2AG Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STB34N50DM2AG |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
STB34N50DM2AG, STB34N50DM2AG Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 914,01 KB)
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STB34N50DM2AG Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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