STB33N60DM2
Solo per riferimento
| Numero parte | STB33N60DM2 |
| PNEDA Part # | STB33N60DM2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 24A |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STB33N60DM2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STB33N60DM2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STB33N60DM2 Datasheet
- where to find STB33N60DM2
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STB33N60DM2
- STB33N60DM2 PDF Datasheet
- STB33N60DM2 Stock
- STB33N60DM2 Pinout
- Datasheet STB33N60DM2
- STB33N60DM2 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STB33N60DM2 Price
- STB33N60DM2 Distributor
STB33N60DM2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7180pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 280mW (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 57A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
