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SST39LF010-45-4C-WHE-T

SST39LF010-45-4C-WHE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST39LF010-45-4C-WHE-T
PNEDA Part # SST39LF010-45-4C-WHE-T
Descrizione IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.956
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST39LF010-45-4C-WHE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39LF010-45-4C-WHE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST39LF010-45-4C-WHE-T, SST39LF010-45-4C-WHE-T Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 412,24 KB)
PDFSST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Copertura
SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 2 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 3 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 4 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 5 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 6 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 7 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 8 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 9 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 10 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 11

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SST39LF010-45-4C-WHE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20µs
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP

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Produttore

Macronix

Serie

MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

CY7C1315KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

71V256S12YG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

137-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

137-TFBGA (10.5x13)

IS61LPS12836EC-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

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