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SST25VF080B-80-4C-QAE-T

SST25VF080B-80-4C-QAE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST25VF080B-80-4C-QAE-T
PNEDA Part # SST25VF080B-80-4C-QAE-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.176
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST25VF080B-80-4C-QAE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25VF080B-80-4C-QAE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25VF080B-80-4C-QAE-T, SST25VF080B-80-4C-QAE-T Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 347,86 KB)
PDFSST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Copertura
SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 2 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 3 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 4 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 5 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 6 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 7 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 8 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 9 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 10 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 11

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SST25VF080B-80-4C-QAE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS49NLC93200-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (32M x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

CY7C1041CV33-10ZSXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

AT45DB021D-MH-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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