SSM6P39TU,LF
Solo per riferimento
| Numero parte | SSM6P39TU,LF |
| PNEDA Part # | SSM6P39TU-LF |
| Descrizione | SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.914 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM6P39TU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SSM6P39TU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SSM6P39TU,LF Datasheet
- where to find SSM6P39TU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU,LF
- SSM6P39TU,LF PDF Datasheet
- SSM6P39TU,LF Stock
- SSM6P39TU,LF Pinout
- Datasheet SSM6P39TU,LF
- SSM6P39TU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6P39TU,LF Price
- SSM6P39TU,LF Distributor
SSM6P39TU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 12-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 12-Power3.3x5 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 317A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 448nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27400pF @ 25V Potenza - Max 1136W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 33A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V Potenza - Max 125W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia i4-Pac™-5 Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™ |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1700V (1.7kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 2.5mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 1000V Potenza - Max 350W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
