SSM6N62TU,LF
Solo per riferimento
| Numero parte | SSM6N62TU,LF |
| PNEDA Part # | SSM6N62TU-LF |
| Descrizione | SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 45.852 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM6N62TU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SSM6N62TU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SSM6N62TU,LF Datasheet
- where to find SSM6N62TU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU,LF
- SSM6N62TU,LF PDF Datasheet
- SSM6N62TU,LF Stock
- SSM6N62TU,LF Pinout
- Datasheet SSM6N62TU,LF
- SSM6N62TU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6N62TU,LF Price
- SSM6N62TU,LF Distributor
SSM6N62TU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UF6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8 |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore 10-Picostar (3.37x1.47) |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V Potenza - Max 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8W Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8W Dual |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Potenza - Max 694W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V Potenza - Max 1.15W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26 |
