SSM3J15FV,L3F
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| Numero parte | SSM3J15FV,L3F |
| PNEDA Part # | SSM3J15FV-L3F |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 141.240 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM3J15FV Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM3J15FV,L3F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SSM3J15FV Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
| Pacchetto / Custodia | SOT-723 |
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