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SS5P4HM3_A/H

SS5P4HM3_A/H

Solo per riferimento

Numero parte SS5P4HM3_A/H
PNEDA Part # SS5P4HM3_A-H
Descrizione DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO277A
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SS5P4HM3_A/H Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSS5P4HM3_A/H
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SS5P4HM3_A/H, SS5P4HM3_A/H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 93,64 KB)
PDFSS5P3HM3/86A Datasheet Copertura
SS5P3HM3/86A Datasheet Pagina 2 SS5P3HM3/86A Datasheet Pagina 3 SS5P3HM3/86A Datasheet Pagina 4 SS5P3HM3/86A Datasheet Pagina 5

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SS5P4HM3_A/H Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If520mV @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr250µA @ 40V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-277, 3-PowerDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-277A (SMPC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.13V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

41pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N3214

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

IDDD08G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

24A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

27µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

401pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-PowerSOP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HDSOP-10-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

ZLLS1000TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.16A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

28pF @ 30V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

UFS350J/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 500V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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