SS16LHM2G
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| Numero parte | SS16LHM2G |
| PNEDA Part # | SS16LHM2G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SUB SMA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS16LHM2G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS16LHM2G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SS16LHM2G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 60V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 37.7A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 155°C |
