SQUN702E-T1_GE3
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| Numero parte | SQUN702E-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQUN702E-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQUN702E-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQUN702E-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQUN702E-T1_GE3, SQUN702E-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 314,84 KB)
  
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SQUN702E-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V, 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V |
| Potenza - Max | 48W (Tc), 60W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A, 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 975pF @ 10V Potenza - Max 27W, 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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