SQS966ENW-T1_GE3
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| Numero parte | SQS966ENW-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQS966ENW-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 60V |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQS966ENW-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQS966ENW-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQS966ENW-T1_GE3, SQS966ENW-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 598,27 KB)
  
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SQS966ENW-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| Potenza - Max | 27.8W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8W Dual |
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