SQJQ960EL-T1_GE3
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| Numero parte | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 29.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQJQ960EL-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJQ960EL-T1_GE3, SQJQ960EL-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 185,22 KB)
  
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SQJQ960EL-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
| Potenza - Max | 71W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 30V Potenza - Max 3.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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