SQ4153EY-T1_GE3
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| Numero parte | SQ4153EY-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQ4153EY-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.886 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 22 - set 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQ4153EY-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQ4153EY-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SQ4153EY-T1_GE3, SQ4153EY-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 267,87 KB)
  
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SQ4153EY-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 7.1W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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