SPI70N10L
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Numero parte | SPI70N10L |
PNEDA Part # | SPI70N10L |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.772 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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SPI70N10L Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SPI70N10L |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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SPI70N10L Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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