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SP8K4TB

SP8K4TB

Solo per riferimento

Numero parte SP8K4TB
PNEDA Part # SP8K4TB
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SP8K4TB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSP8K4TB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SP8K4TB, SP8K4TB Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 60,39 KB)
PDFSP8K4FU6TB Datasheet Copertura
SP8K4FU6TB Datasheet Pagina 2 SP8K4FU6TB Datasheet Pagina 3 SP8K4FU6TB Datasheet Pagina 4

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SP8K4TB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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AOD607A

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc), 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

395pF @ 15V, 730pF @ 15V

Potenza - Max

19W (Tc), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

APTM10DHM09T3G

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Produttore

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Serie

POWER MOS V®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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