SNRVBD660CTT4G
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| Numero parte | SNRVBD660CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SNRVBD660CTT4G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 7.718 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SNRVBD660CTT4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SNRVBD660CTT4G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
SNRVBD660CTT4G, SNRVBD660CTT4G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 168,4 KB)
  
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SNRVBD660CTT4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 890mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 120V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB |
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