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SMMBF4391LT1G

SMMBF4391LT1G

Solo per riferimento

Numero parte SMMBF4391LT1G
PNEDA Part # SMMBF4391LT1G
Descrizione JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $2,8978
250 ---------- $2,7620
500 ---------- $2,6261
1.000 ---------- $2,4903
2.500 ---------- $2,3771
5.000 ---------- $2,2639
Disponibile 6.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SMMBF4391LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSMMBF4391LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
SMMBF4391LT1G, SMMBF4391LT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 234,33 KB)
PDFSMMBF4391LT1G Datasheet Copertura
SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 2 SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 3 SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 4 SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 5 SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 6 SMMBF4391LT1G Datasheet Pagina 7

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SMMBF4391LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)50mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id4V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 15V (VGS)
Resistenza - RDS (On)30 Ohms
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

FJN598JCTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

J112RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

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