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SM6K2T110

SM6K2T110

Solo per riferimento

Numero parte SM6K2T110
PNEDA Part # SM6K2T110
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.946
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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SM6K2T110 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSM6K2T110
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SM6K2T110, SM6K2T110 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 88,38 KB)
PDFSM6K2T110 Datasheet Copertura
SM6K2T110 Datasheet Pagina 2 SM6K2T110 Datasheet Pagina 3 SM6K2T110 Datasheet Pagina 4 SM6K2T110 Datasheet Pagina 5

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SM6K2T110 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT6

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

78.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Potenza - Max

72W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

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15A

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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