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SKW25N120FKSA1

SKW25N120FKSA1

Solo per riferimento

Numero parte SKW25N120FKSA1
PNEDA Part # SKW25N120FKSA1
Descrizione IGBT 1200V 46A 313W TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SKW25N120FKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSKW25N120FKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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SKW25N120FKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)46A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)84A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 25A
Potenza - Max313W
Switching Energy3.7mJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge225nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C45ns/730ns
Condizione di test800V, 25A, 22Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

107A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

Potenza - Max

366W

Switching Energy

1185µJ (on), 1565µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

325nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/230ns

Condizione di test

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

IXDH35N60B

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

300V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXDH)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

94A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Potenza - Max

379W

Switching Energy

2.315mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/300ns

Condizione di test

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

300W

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

63nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/130ns

Condizione di test

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

94ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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