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SJPB-H4

SJPB-H4

Solo per riferimento

Numero parte SJPB-H4
PNEDA Part # SJPB-H4
Descrizione DIODE SCHOTTKY 40V 2A SJP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SJPB-H4 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSJPB-H4
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SJPB-H4, SJPB-H4 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 249,08 KB)
PDFSJPB-H4 Datasheet Copertura
SJPB-H4 Datasheet Pagina 2 SJPB-H4 Datasheet Pagina 3 SJPB-H4 Datasheet Pagina 4 SJPB-H4 Datasheet Pagina 5 SJPB-H4 Datasheet Pagina 6

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SJPB-H4 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If550mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr200µA @ 40V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-SMD, J-Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSJP
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

BYG24G-E3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

NRVBM110ET1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

POWERMITE®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

10V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

595mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ESH3CHE3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

15ETH06

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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