SIS892DN-T1-GE3
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Numero parte | SIS892DN-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SIS892DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.956 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIS892DN-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIS892DN-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SIS892DN-T1-GE3, SIS892DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 556,81 KB)
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SIS892DN-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 611pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 |
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