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SIHP15N65E-GE3

SIHP15N65E-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIHP15N65E-GE3
PNEDA Part # SIHP15N65E-GE3
Descrizione MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIHP15N65E-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIHP15N65E-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SIHP15N65E-GE3, SIHP15N65E-GE3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 288,78 KB)
PDFSIHP15N65E-GE3 Datasheet Copertura
SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 2 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 3 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 4 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 5 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 6 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 7 SIHP15N65E-GE3 Datasheet Pagina 8

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SIHP15N65E-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1640pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)34W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

279nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS264™

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

AUIRLR120N

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APTM50UM13SAG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

335A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 167.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

800nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

42200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3290W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

Pacchetto / Custodia

SP6

DMG7401SFG-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2987pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

940mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

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