SIDC03D120H6X1SA3
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| Numero parte | SIDC03D120H6X1SA3 |
| PNEDA Part # | SIDC03D120H6X1SA3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.046 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIDC03D120H6X1SA3 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIDC03D120H6X1SA3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SIDC03D120H6X1SA3, SIDC03D120H6X1SA3 Datasheet
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SIDC03D120H6X1SA3 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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