SIB412DK-T1-E3
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Numero parte | SIB412DK-T1-E3 |
PNEDA Part # | SIB412DK-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.482 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIB412DK-T1-E3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIB412DK-T1-E3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SIB412DK-T1-E3, SIB412DK-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 137,34 KB)
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SIB412DK-T1-E3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.16nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-75-6L |
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