SI8275GB-IM1
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Numero parte | SI8275GB-IM1 |
PNEDA Part # | SI8275GB-IM1 |
Descrizione | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
Produttore | Silicon Labs |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 10.452 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI8275GB-IM1 Risorse
Brand | Silicon Labs |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI8275GB-IM1 |
Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Isolatori - Gate driver |
Datasheet |
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SI8275GB-IM1 Specifiche
Produttore | Silicon Labs |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 2 |
Tensione - Isolamento | 2500Vrms |
Immunità transitoria di modo comune (min) | 150kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 60ns |
Distorsione della larghezza dell'impulso (max) | 8ns |
Tempo di salita / discesa (tipico) | 10.5ns, 13.3ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 1.8A, 4A |
Corrente - Uscita di picco | 4A |
Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | - |
Corrente - DC diretta (If) (Max) | - |
Tensione - Alimentazione in uscita | 4.2V ~ 30V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 14-VDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-QFN (5x5) |
Approvazioni | CQC, CSA, UL, VDE |
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