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SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7945DP-T1-GE3
PNEDA Part # SI7945DP-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7945DP-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7945DP-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7945DP-T1-GE3, SI7945DP-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 123,26 KB)
PDFSI7945DP-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7945DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7945DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7945DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7945DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7945DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 6

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SI7945DP-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

ZXMP6A18DN8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1580pF @ 30V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTC90H12T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

ZXMD63N02XTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 15V

Potenza - Max

1.04W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.7A, 11.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

946pF @ 15V

Potenza - Max

3.3W, 3.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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