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SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4808DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4808DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4808DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4808DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4808DY-T1-E3, SI4808DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 111,68 KB)
PDFSI4808DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4808DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4808DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4808DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4808DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4808DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6

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SI4808DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual

DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2026pF @ 30V

Potenza - Max

2.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

NVMFD5C680NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

131A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 5mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 1000V

Potenza - Max

625W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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