SI4539ADY-T1-GE3
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| Numero parte | SI4539ADY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SI4539ADY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 34.649 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SI4539ADY-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI4539ADY-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI4539ADY-T1-GE3, SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 129,07 KB)
  
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SI4539ADY-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A, 3.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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