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SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI3850ADV-T1-GE3
PNEDA Part # SI3850ADV-T1-GE3
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI3850ADV-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI3850ADV-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI3850ADV-T1-GE3, SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 116,27 KB)
PDFSI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI3850ADV-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI3850ADV-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.08W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Produttore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

469pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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