SI3443DV
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Numero parte | SI3443DV |
PNEDA Part # | SI3443DV_43 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.930 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI3443DV Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI3443DV |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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SI3443DV Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) |
Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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