SI1029X-T1-E3
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| Numero parte | SI1029X-T1-E3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SI1029X-T1-E3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 3.955 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SI1029X-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI1029X-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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SI1029X-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA, 190mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
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