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SH8K39GZETB

SH8K39GZETB

Solo per riferimento

Numero parte SH8K39GZETB
PNEDA Part # SH8K39GZETB
Descrizione 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 5.364
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SH8K39GZETB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSH8K39GZETB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SH8K39GZETB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 30V
Potenza - Max1.4W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A, 770mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

470mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 30V

Potenza - Max

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8SCD

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.8mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 8V

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