SF44GHB0G
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| Numero parte | SF44GHB0G |
| PNEDA Part # | SF44GHB0G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.452 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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SF44GHB0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SF44GHB0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SF44GHB0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AD, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 330mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 200V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-XDFN Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006D-2 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
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