SE10FJ-M3/H
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Numero parte | SE10FJ-M3/H |
PNEDA Part # | SE10FJ-M3-H |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.704 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE10FJ-M3/H Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SE10FJ-M3/H |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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SE10FJ-M3/H Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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