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SD101BWS-7-F

SD101BWS-7-F

Solo per riferimento

Numero parte SD101BWS-7-F
PNEDA Part # SD101BWS-7-F
Descrizione DIODE SCHOTTKY 50V 15MA SOD323
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.530
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SD101BWS-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSD101BWS-7-F
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SD101BWS-7-F, SD101BWS-7-F Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 77,91 KB)
PDFSD101CWS-7 Datasheet Copertura
SD101CWS-7 Datasheet Pagina 2 SD101CWS-7 Datasheet Pagina 3 SD101CWS-7 Datasheet Pagina 4

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SD101BWS-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)15mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 15mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)1ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr200nA @ 40V
Capacità @ Vr, F2.1pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 125°C

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

400ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

GB02SLT12-214

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 1A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

131pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

S8MC V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

985mV @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

48pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JAN1N6629US

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

880V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 880V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

E-MELF

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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