SCT3060ALHRC11
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| Numero parte | SCT3060ALHRC11 |
| PNEDA Part # | SCT3060ALHRC11 |
| Descrizione | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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SCT3060ALHRC11 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SCT3060ALHRC11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SCT3060ALHRC11 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 852pF @ 500V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 165W |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3780pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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