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SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

Solo per riferimento

Numero parte SCT2750NYTB
PNEDA Part # SCT2750NYTB
Descrizione 1700V .75 OHM 6A SIC FET
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.460
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SCT2750NYTB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSCT2750NYTB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SCT2750NYTB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.9A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 18V
Vgs (massimo)+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds275pF @ 800V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)57W (Tc)
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPD60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI8499DB-T2-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Pacchetto / Custodia

6-UFBGA

APTM120UM70FAG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

171A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 85.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1650nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5000W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

Pacchetto / Custodia

SP6

NTD70N03RT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.36W (Ta), 62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDC658AP

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 5V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Venduto di recente

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NXP

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

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IC TRANSCEIVER FULL 1/1 24DIP

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IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

TAJA226M010RNJ

TAJA226M010RNJ

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VNQ600

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RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC

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PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

V5.5MLA0603NH

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Littelfuse

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ADG506AKR

ADG506AKR

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MSS1P4-M3/89A

MSS1P4-M3/89A

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