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SBR1U30CSP-7

SBR1U30CSP-7

Solo per riferimento

Numero parte SBR1U30CSP-7
PNEDA Part # SBR1U30CSP-7
Descrizione DIODE SBR 30V 1A 2CSP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR1U30CSP-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR1U30CSP-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SBR1U30CSP-7, SBR1U30CSP-7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 423,93 KB)
PDFSBR1U30CSP-7 Datasheet Copertura
SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 2 SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 3 SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 4

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SBR1U30CSP-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieSBR®
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If480mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr75µA @ 30V
Capacità @ Vr, F80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore2-CSP
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

930mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MBR7H35HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

7.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

630mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

13A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

14µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

205pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

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