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SB2M-M3/5BT

SB2M-M3/5BT

Solo per riferimento

Numero parte SB2M-M3/5BT
PNEDA Part # SB2M-M3-5BT
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SB2M-M3/5BT Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSB2M-M3/5BT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SB2M-M3/5BT, SB2M-M3/5BT Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 90,37 KB)
PDFSB2M-M3/5BT Datasheet Copertura
SB2M-M3/5BT Datasheet Pagina 2 SB2M-M3/5BT Datasheet Pagina 3 SB2M-M3/5BT Datasheet Pagina 4

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SB2M-M3/5BT Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.15V @ 2A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F16pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

15V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

320mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 15V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

1N3767R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

900V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 35A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 190°C

VS-20ETS12FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC Full Pack

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

UF1M B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HSM350JE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

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