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S8GC V7G

S8GC V7G

Solo per riferimento

Numero parte S8GC V7G
PNEDA Part # S8GC-V7G
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S8GC V7G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS8GC V7G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S8GC V7G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If985mV @ 8A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F48pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N5615US/TR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

45pF @ 12V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

TRS6E65C,S1AQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

90µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 650V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

BAT46-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

RS3A V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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