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S400KR

S400KR

Solo per riferimento

Numero parte S400KR
PNEDA Part # S400KR
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 400A DO9
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 5 - nov 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S400KR Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS400KR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
S400KR, S400KR Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 752 KB)
PDFS400QR Datasheet Copertura
S400QR Datasheet Pagina 2 S400QR Datasheet Pagina 3

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S400KR Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)400A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 400A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione-60°C ~ 200°C

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Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

430mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.85mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

1400pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221BC (SMPA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

CMSH2-20L BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

386pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

VB30100SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

350µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

PMEG3010EGWX

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Produttore

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Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

55pF @ 1V, 1MHz

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