S34MS04G200BHB000
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| Numero parte | S34MS04G200BHB000 |
| PNEDA Part # | S34MS04G200BHB000_33 |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.788 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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S34MS04G200BHB000 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S34MS04G200BHB000 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S34MS04G200BHB000 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MS-2 |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 45ns |
| Tempo di accesso | 45ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 4.5µs Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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