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S34ML01G200BHV000

S34ML01G200BHV000

Solo per riferimento

Numero parte S34ML01G200BHV000
PNEDA Part # S34ML01G200BHV000_33
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S34ML01G200BHV000 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS34ML01G200BHV000
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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S34ML01G200BHV000 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieML-2
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore63-BGA (11x9)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

AT45DB021B-SU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

R1LP0408DSP-7SI#B0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOP

AT28C64X-15PI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

MSM5117400F-60J3FAR1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

16Mb (4M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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