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S29WS128N0LBAW013

S29WS128N0LBAW013

Solo per riferimento

Numero parte S29WS128N0LBAW013
PNEDA Part # S29WS128N0LBAW013
Descrizione IC MEMORY NOR
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29WS128N0LBAW013 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29WS128N0LBAW013
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29WS128N0LBAW013, S29WS128N0LBAW013 Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.777,56 KB)
PDFS29WS256N0SBFW012 Datasheet Copertura
S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 2 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 3 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 4 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 5 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 6 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 7 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 8 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 9 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 10 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 11

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S29WS128N0LBAW013 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

79-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

79-VFBGA (9x11)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

CAT24C32VP2I-GT3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (2x3)

IS43DR81280C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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