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S29GL512P10FAIR10

S29GL512P10FAIR10

Solo per riferimento

Numero parte S29GL512P10FAIR10
PNEDA Part # S29GL512P10FAIR10
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29GL512P10FAIR10 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29GL512P10FAIR10
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29GL512P10FAIR10, S29GL512P10FAIR10 Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 1.009,21 KB)
PDFS29GL512P11TFIV20 Datasheet Copertura
S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 2 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 3 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 4 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 5 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 6 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 7 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 8 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 9 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 10 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 11

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S29GL512P10FAIR10 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieGL-P
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-Fortified BGA (13x11)

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Micron Technology Inc.

Serie

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

CG8304AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S25FL128LAGBHB020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Interfaccia di memoria

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

6.3ns

Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

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