S29GL128P90TFIR13
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| Numero parte | S29GL128P90TFIR13 |
| PNEDA Part # | S29GL128P90TFIR13 |
| Descrizione | IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.066 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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S29GL128P90TFIR13 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S29GL128P90TFIR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S29GL128P90TFIR13 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 90ns |
| Tempo di accesso | 90ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 63-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11) |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 86-TSOP II |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 168-FBGA (12x12) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 40MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
