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S1M M2G

S1M M2G

Solo per riferimento

Numero parte S1M M2G
PNEDA Part # S1M-M2G
Descrizione DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S1M M2G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS1M M2G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S1M M2G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

AU2PJHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

42pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RB162VAM-20TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.2mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMD2M

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

B5817W-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

NSB8ATHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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