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S1GL RTG

S1GL RTG

Solo per riferimento

Numero parte S1GL RTG
PNEDA Part # S1GL-RTG
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S1GL RTG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS1GL RTG
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S1GL RTG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitoreSub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

0.58V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Capacità @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

L-FLAT™

Pacchetto dispositivo fornitore

L-FLAT™ (4x5.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

R5031010RSWA

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.7V @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

45mA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

GKR26/12

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 60A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4mA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

VS-100BGQ030HF4

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

630mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.4mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

PowerTab®

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerTab®

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBR0530T3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

430mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

130µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

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