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RT0603DRD0730R1L

RT0603DRD0730R1L

Solo per riferimento

Numero parte RT0603DRD0730R1L
PNEDA Part # RT0603DRD0730R1L
Descrizione RES SMD 30.1 OHM 0.5% 1/10W 0603
Produttore Yageo
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RT0603DRD0730R1L Risorse

Brand Yageo
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRT0603DRD0730R1L
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale

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RT0603DRD0730R1L Specifiche

ProduttoreYageo
SerieRT
Resistenza30.1 Ohms
Tolleranza±0.5%
Potenza (Watt)0.1W, 1/10W
ComposizioneThin Film
Caratteristiche-
Coefficiente di temperatura±25ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / Custodia0603 (1608 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore0603
Taglia / Dimensione0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Altezza - Seduto (Max)0.022" (0.55mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Susumu

Serie

HRG

Resistenza

3.32 kOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.126" L x 0.065" W (3.20mm x 1.65mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RMCP2010FT2K26

Stackpole Electronics

Produttore

Stackpole Electronics

Serie

RMCP

Resistenza

2.26 kOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

2010 (5025 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

2010

Taglia / Dimensione

0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.028" (0.70mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Susumu

Serie

RG

Resistenza

210 Ohms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±10ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.020" (0.50mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

TLR3AWDTE4L00F

KOA Speer Electronics

Produttore

KOA Speer Electronics

Serie

TLR

Resistenza

4 mOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

2W

Composizione

Metal Element

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200, Current Sense

Coefficiente di temperatura

±75ppm/°C

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

2512 (6432 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

2512

Taglia / Dimensione

0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.033" (0.85mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

ERA-3AEB112V

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

ERA-3A

Resistenza

1.1 kOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

EPM7064STC44-10N

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Intel

IC CPLD 64MC 10NS 44TQFP

8121-RC

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Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

FDC6327C

FDC6327C

ON Semiconductor

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

0CNL200.V

0CNL200.V

Littelfuse

FUSE STRIP 200A 32VAC/VDC BOLT

DMN6075S-7

DMN6075S-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

50ZL560MEFC12.5X25

50ZL560MEFC12.5X25

Rubycon

CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

NSR0320MW2T1G

NSR0320MW2T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323